Структуры запоминающих устройств

Адресные структуры

(2D):

Матрица запоминающих частей (ЗЭ) M=k*m, М – информационная емкость в битах, k –

число хранимых слов, m – их разрядность.

Дешифратор DC активизирует одну из выходных линий -> считываем либо записываем

данные (слово) разрядностью m из ЗЭ. Может быть применение только для малой емкости.

Только чтение. 1 бит данных за 1 цикл Структуры запоминающих устройств. Выбирается 1 ЗЭ на скрещении активных

выходов. Адреса делятся как 2n/2

*2n/2

=2n

Измененная структура 2DM:

Дешифратор выбирает из матрицы 2n-k

x m2k

целую сроку, состоящую из m слов, каждое

разрядностью 2k

. 2-ая часть разрядов адреса употребляется для выбора подходящих разрядов и

строчки m2k

. Из каждого 2k

выбирается 1 бит (на MUX 2k

-> 1). На выходах управляемых

буферов ЕО выходит m Структуры запоминающих устройств-разрядное слово.

Память с поочередным доступом:

На примере FIFO

СчWR(СчRD) – счетчик записи(считывания)

До работы счетчики сбрасываются, при работе происходит чередование

циклов запись/считывание, т. е. счетчик чтения догоняет счетчик записи, если адреса

сравняются при чтении, то буфер пуст, а если при записи, то буфер полон. Файловый регистр

имеет независящие входы адреса Структуры запоминающих устройств чтения и независящие входы адреса записи. Файловый

регистр позволяет делать операции записи и чтения данных независимо друг от друга.

КЭШ (Cache) – память(сокращенное время обмена данных). Ставится меж микропроцессором и оперативной памятью. КЭШ обладает малой емкостью и высочайшим быстродействием. При чтении данных поначалу обращаются в КЭШ, для поиска данных употребляется Структуры запоминающих устройств

Tag – это отличительный

признак инфы (обычно физический адресок RAM), если информация есть в КЭШ, то

вырабатывается сигнал Hit и данные считываются из КЭШ, если инфы там нет, то она

считывается из RAM с одновременной записью в КЭШ

Вполне ассоциативная КЭШ память:

Физический адресок запрашиваемой инфы сравниваются с полем Tag. При совпадении

устанавливается сигнал Hit Структуры запоминающих устройств и данные через буферы считываются на шину данных.

Программируемые ПЗУ

При подаче высочайшего напряжения плавкая вставка перегорает и появляется 0
Вызывая пробой, получаем 1
Вызывая пробой, получаем 0

Перепрограммируемые ПЗУ

(репрограммируемые - РПЗУ)

РПЗУ-УФ (стирание ультрафиолетом):

На базе транзистора с плавающим затвором.

Программирование делают подачей напряжения исток (И) –

сток (С) порядка 20 В, происходит Структуры запоминающих устройств лавинный пробой p-n

перехода. Электроны, владеющие большой энергией, попадают

через диэлектрик на железный затвор. После снятия

напряжения электроны остаются на затворе. Электроны,

находящиеся на затворе, делают поле, мешающее созданию

канала меж истоком и стоком. Таким макаром, в спектре

обыденных рабочих напряжений, транзистор не раскрывается (канал

исток-сток не создается). Это можно трактовать как запись «0» в Структуры запоминающих устройств ячейку памяти.

Стирание инфы создают облучением затвора ультрафиолетом. УФ лучи

делают в диэлектрике термические токи и заряд с затвора стекает в подложку. Число циклов

программирования 10-ки, сотки раз.

РПЗУ-ЭС (электронное стирание):

Употребляют двухзатворный транзистор. Добавлен управляющий затвор.

Запись делается аналогично РПЗУ-УФ.

Стирание: подается напряжение И-С порядка 20 В, а на затвор Структуры запоминающих устройств подается маленькое

отрицательное напряжение => поле затвора выталкивает электроны из плавающего затвора.


strukturno-funkcionalnaya-model-realizacii-programmi-eksperimenta-razvitie-emocionalnogo-intellekta-kak-uslovie-formirovaniya-socialnoj-kompetencii-uchashihsya-i-professionalnoj-kompetentnosti-pedagogov.html
strukturno-funkcionalnaya-organizaciya-mozga-koncepciya-treh-funkcionalnih-blokov-mozga-po-ar-luriya.html
strukturno-funkcionalnie-izmeneniya-endometrii-doklad.html